HP готовится к выпуску нового типа памяти

 

Компания Hewlett-Packard объявила о подписании соглашения о сотрудничестве с южнокорейской Hynix Semiconductor с целью коммерциализации нового элемента электрической цепи - мемристора. Об этом говорится в распространенном сегодня официальном заявлении.

В рамках достигнутых договоренностей стороны займутся совместной разработкой новых материалов и технологий производства мемристоров, которые планируется воплотить в форме ReRAM (резистивной памяти со случайным доступом). Кроме того, созданные технологии останутся на вооружении Hynix в дальнейших исследованиях и разработках.

ReRAM – энергонезависимый тип памяти, отличающийся низким энергопотреблением. Ученые полагают, что данная технология в перспективе может заменить NAND-память, которая в настоящее время используется в мобильных телефонах, MP3-плеерах, цифровых камерах и другой электронике. ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя - то есть в роли постоянной и оперативной памяти (DRAM) одновременно.

По результатам опытов выяснилось, что мемристорам требуется меньше энергии для работы, они быстрее SSD и могут сохранять информацию при выключенном питании. Мемристор (memory resistor – «резистор памяти») был предложен в качестве четвертого основного элемента электросхемы профессором Университета Калифорнии в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua) в 1971 г. и впервые реализован на практике разработчиками HP Labs, главного научно-исследовательского подразделения компании, в 2006 г.